哈氏合金棒用合金法形成的合金结

哈氏合金棒用合金法形成的合金结

在高温下使掺杂金属(又称为合金质料)和半导体晶片熔成合金来建造PN结(或造成集成电路欧姆触碰)的工艺。用合金工艺建造锗PN结的典范工艺历程，是将掺杂金属(如In)置于外貌经由严格洁净处分的半导体晶片上(如N型Ge)，在氢气或真空中加热至必然温度,并保持必然光阴。

　　哈氏合金棒此时，融化的金属和半导体晶片相触碰的那一片面质料溶入融化了的金属中，与金属造成合金，温度降落后在金属中的半导体质料便再结晶。再结晶的半导体质料中含有富厚的掺杂金属原子，从而转变了半导体的导电类型(P型)，并与本来的N型晶片造成PN结(图1)。

合金法造成的PN结是突变型的。在合金工艺中精确地掌握合金深度和获得平整的PN结相对难题。